Микро-светодиод с квантови кладенци с много дължини на вълната и нанопроводник за оптична комуникация в чип

Тъй като броят на процесорните ядра продължава да нараства, предизвикателствата за свързването им заедно също нарастват. Традиционните електрически мрежи не отговарят на изискванията поради забавяне, ограничена честотна лента и висока консумация на енергия. Дълго време изследователите търсят по-добри алтернативи и нанофотонните системи върху чип се очертаха като обещаващ заместител на традиционните електрически мрежи.

Все още има ограничени доклади за високоскоростни инфрачервени микросветоизлъчващи диоди (LED), работещи на телекомуникационни дължини на вълните, които са от решаващо значение за бъдещото развитие на Li-Fi технологията, фотонни интегрални схеми (PIC) и биологични приложения. Наскоро нова статия показа селективното нарастване на площта и производството на високоравномерни светодиоди с нанопроводна матрица InGaAs/InP с единични квантови кладенци (QW).