InGaAs lineær array brændplanssensor Danmark
Nøglefordel
Lang lineær array lille pixel med høj opløsning
512X2 dual line kolonne output
Høj pixel udlæsningshastighed (14MHz
Maksimal linjefrekvens 20KHz
Fire gear forstærkningsmuligheder
Velegnet til applikationsbehov med flere scenarier
32 pin keramik Dual in-line pakke
Typiske applikationer:
Afskærmning af fremmedlegemer
Afprøvning af landbrugsprodukter
Line scan billeddannelse
Industriel ikke-destruktiv test
Spektral analyse
- Oversigt
- Parameter
- Forespørgsel
- Relaterede Produkter
GD-NIR512L2-CD kortbølget infrarød InGaAs lineær array-sensor har karakteristika af høj følsomhed, lav støj og lav mørkestrøm. Sensoren er sammensat af InGaAs fotodiode array chips og CMOS signalbehandling kredsløb chips. Den er ledende forbundet gennem indium (In) konvekse prik-arrays og kan bruges i vid udstrækning inden for områder som landbrugsproduktdetektion, industriel detektion og optoelektronisk detektion.
Sensoren er sammensat af to uafhængige 1X512 strukturerede kredsløb, der hver indeholder 512 gummikanaler. Hver kanal indeholder et ladningsforstærkningskredsløb, et CDS-forstærkningskredsløb, et holdekredsløb, et søjlebufferkredsløb og en styrekredsløbslogik. Inputtrinnet vedtager en CTIA-struktur med flere niveauer af ladespændingskonverteringsforstærkning, understøtter anti-korona og korreleret dual adoption (CDS) støjreduktionsfunktioner og understøtter to former for køling og ikke-køling.
Parametre og indeks | |
Teknisk parametre | Teknisk Indeks |
Device Type | InGaAs p-on-n Type |
Skala af Array | 2X512 |
Pixel Size | 25umX25um |
Størrelse af lysfølsom overflade | 0.05mmX12.8mm |
Emballageform | 32-DIP Keramisk Shell Resin Emballage |
Optoelektroniske egenskaber @ 22±3°C | |
Maksimal linjefrekvens | 20KHz |
Maksimal pixeludlæsningshastighed | 14KHz |
Integral tid | ≥10us Større end eller lig med 10us |
Spektralt responsområde | 0.92 ~ 1.65um |
Udlæsningsstøj | ≤60e(RMS)@10KHz, høj forstærkning |
Dynamisk atmosfære | ≥ 60dB |
Elektriske egenskaber | |
Driftstemperaturområde | -20 ° C ~ + 60 ° C |
Maksimalt arbejdskraftforbrug | 300mW |
Pixel Bias Range | -0.5V~0V |
ESD antistatisk niveau | 800V ~ 1000V |