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Le capteur linéaire InGaAs infrarouge à ondes courtes GD-NIR512L2-CD présente les caractéristiques d'une sensibilité élevée, d'un faible bruit et d'un faible courant d'obscurité. Le capteur est composé de puces de réseau de photodiodes InGaAs et de puces de circuit de traitement du signal CMOS. Il est connecté de manière conductrice via des réseaux de points convexes en indium (In) et peut être largement utilisé dans des domaines tels que la détection de produits agricoles, la détection industrielle et la détection optoélectronique.
Le capteur est composé de deux circuits structurés 1X512 indépendants, contenant chacun 512 canaux en caoutchouc. Chaque canal contient un circuit d'amplification de charge, un circuit de gain CDS, un circuit de maintien, un circuit tampon de colonne et une logique de circuit de commande. L'étage d'entrée adopte une structure CTIA avec plusieurs niveaux de gain de conversion de tension de charge, prend en charge les fonctions de réduction du bruit anti-corona et à double adoption corrélée (CDS), et prend en charge deux formes de refroidissement et de non-refroidissement.

Paramètres et index
Risques techniques Paramètres Risques techniques Sommaire
Type de périphérique Type InGaAs p-sur-n
Échelle du tableau 2/512
Taille Pixels 25umX25um
Taille de la surface photosensible 0.05mmX12.8mm
Formulaire d'emballage Emballage en résine de coque en céramique 32-DIP
Caractéristiques optoélectroniques à 22 ± 3°C
Fréquence de ligne maximale 20KHz
Taux de lecture maximal des pixels 14KHz
Temps intégral ≥10us Supérieur ou égal à 10us
Plage de réponse spectrale 0.92 ~ 1.65um
Bruit de lecture ≤60e(RMS)@10KHz, Gain élevé
Ambiance dynamique ≥ 60dB
Caractéristiques électriques
Température de fonctionnement -20 ° C ~ + 60 ° C
Consommation d'énergie maximale en fonctionnement 300mW
Plage de polarisation des pixels -0.5 V ~ 0 V
Niveau antistatique ESD 800V ~ 1000V

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