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이 제품은 4x4 어레이의 InGaAs SPAD(단일광자 애벌런치 다이오드) 칩과 CMOS 메인 패시브 퀀칭 회로 칩을 플립칩으로 연결한 검출기 모듈과 전압 인버터 모듈, 냉각 모듈, 및 신호 제어 모듈. 가이거 모드 작동에서 감지기 구성 요소의 각 픽셀은 독립적이고 자유롭게 작동하여 0.95~1.65마이크로미터의 근적외선 파장 범위에서 약한 광 신호를 감지하고 TTL 전기 신호로 실시간 출력을 제공합니다.

매개변수&지수
기술적 인 매개 변수 기술 색인
장치 유형 (Device Type) InGaAs APD
어레이 크기 4 X 4
픽셀 크기 100μm x 100μm
감광성 영역 크기 85μm x 85μm
광학 창 석영 광학 창
감광성 표면에서 광학 창까지의 거리 4mm(창 두께: 1mm)
작동 파장 0.95μm ~ 1.65μm
탐지 효율성 ≥10%(1.57±0.05μm에서)
다크 카운트 비율 10KHz 이하
시간 지터 500ps 이하
데드 타임 100~1000ns 범위에서 조정 가능
유효 픽셀 속도 100%
작동 온도 + 40 ° C에 -55 °의 C
저장 온도 + 40 ° C에 -70 °의 C
전력 소비  ≤15W

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