Mikro-LED nanovláknové pole s viacerými vlnovými dĺžkami pre optickú komunikáciu na čipe Slovensko

Keďže počet procesorových jadier neustále narastá, narástli aj výzvy spojené s ich prepojením. Tradičné elektrické siete nedosahujú požiadavky v dôsledku latencie, obmedzenej šírky pásma a vysokej spotreby energie. Výskumníci dlho hľadali lepšie alternatívy a nanofotonické systémy na čipe sa ukázali ako sľubná náhrada tradičných elektrických sietí.

Stále existujú obmedzené správy o vysokorýchlostných infračervených mikro-svetlo emitujúcich diódach (LED) pracujúcich na telekomunikačných vlnových dĺžkach, ktoré sú kľúčové pre budúci vývoj technológie Li-Fi, fotonických integrovaných obvodov (PIC) a biologických aplikácií. Nedávno nový článok ukázal selektívny rast oblasti a výrobu vysoko rovnomerných nanodrôtových LED diód InGaAs / InP s jednou kvantovou jamkou (QW) s jadrom a plášťom pi-n.