InGaAs avalanche photodetector

Ang produktong ito ay isang compact near-infrared avalanche photodetector. Ang pangunahing device ay gumagamit ng InGaAs/InP APD na may mga independiyenteng karapatan sa intelektwal na ari-arian, na may mga katangian ng mataas na pakinabang, mataas na sensitivity at mababang ingay. Maaari itong magbigay ng cost-effective na solusyon para sa near-infrared na mahinang pag-detect ng liwanag at maikling pagsukat ng signal ng pulso, at malawakang ginagamit sa komunikasyon ng laser, laser radar at iba pang larangan.
Gumagana ang produktong ito sa linear mode, nagsasama ng low-noise broadband transimpedance amplifier, makakamit ang maximum na conversion gain na 5.2×106v/w, at sumusuporta sa pagsasaayos ng gain, at gumagamit ng temperature compensation circuit para makamit ang temperature stability control ng multiplication factor. Ang diameter ng photosensitive na ibabaw ay hanggang 200um, at ang katumbas ng ingay na kapangyarihan ay kasing baba ng 0.35nW sa ilalim ng gumaganang bandwidth na 10MHz. Sinusuportahan nito ang libreng space coupling at fiber coupling. Kasabay nito, ang panloob na pinagsama-samang malakas na pag-iniksyon ng proteksyon ng liwanag ay ginagawang mas mataas ang kakayahang umangkop sa kapaligiran.