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InGaAs गीजर-मोड हिमस्खलन फोटोडायोड (APD) एक उत्पाद है जो विशेष रूप से एकल-फोटॉन गिनती अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया है। यह उपकरण ब्रेकडाउन वोल्टेज से अधिक वोल्टेज लगाकर "गीजर मोड" में काम करता है, जिससे हिमस्खलन डायोड के भीतर पर्याप्त लाभ के कारण घटना फोटॉन एक बड़ा करंट उत्पन्न करते हैं, जिससे प्रभावी रूप से एकल फोटॉन का पता लगाने में सक्षम होता है। मिलान करने वाले बाहरी पल्स डिटेक्शन सर्किट के साथ संयुक्त होने पर, यह 0.95-1.65 माइक्रोमीटर की तरंग दैर्ध्य रेंज में एकल-फोटॉन का पता लगाने में सक्षम बनाता है।
उत्पाद दो पैकेजिंग संरचनाओं में उपलब्ध है: T0 समाक्षीय पिगटेल और एकीकृत क्रायोजेनिक तितली, और इसे विशिष्ट ग्राहक अनुप्रयोग आवश्यकताओं के लिए भी अनुकूलित किया जा सकता है।
आवधिक पोलिंग अर्ध-चरण मिलान तकनीकों के माध्यम से प्राप्त की जाती है, जहां क्रिस्टल के फेरोइलेक्ट्रिक डोमेन की सहज ध्रुवीकरण दिशा को समय-समय पर उलटने के लिए लिथियम नाइओबेट क्रिस्टल पर एक बाहरी विद्युत क्षेत्र लागू किया जाता है। यह चरण बेमेल समस्या को हल करता है, विभिन्न तरंग दैर्ध्य के लिए आवृत्ति रूपांतरण को सक्षम करता है।
समय-समय पर पोल किए गए लिथियम नाइओबेट (पीपीएलएन) आरपीई वेवगाइड के आधार पर, 1550 एनएम की संचार तरंग दैर्ध्य रेंज में, ट्रांसमिशन हानि को 0.1 डीबी/सेमी तक कम किया जा सकता है, और ऑप्टिकल फाइबर के साथ युग्मन हानि को 0.5 डीबी तक कम किया जा सकता है। ये तकनीकी विशिष्टताएँ अंतर्राष्ट्रीय अग्रणी स्तर पर पहुँच गई हैं।
| पैरामीटर्स एवं सूचकांक | |
| तकनीकी पैरामीटर | तकनीकी सूचकांक |
| रिवर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज | ≤90V(@Tamb=25°C±3°C,IR=10uA, Φe=0) |
| डार्क करेंट | ≤2nA(@Tamb=25°C±3°C,VDC=(VBR-1)V, Φe=0) |
| पता लगाने की क्षमता | 20%(@Tth=-30°C±3°C,fgate=1.25GHz,λ=1550nm±50nm) |
| डार्क काउंट रेट | ≤5kHz(@Tth=-30°C±3°C,fgate=1.25GHz,PDE=20%) |
| आफ्टरपल्स संभाव्यता | ≤6%(@Tth=-30°C±5°C,λ=1550nm±50nm,fgate=1.25GHz,PDE=20%,tdead=1000ns) |
| टीईसी शीतलन तापमान अंतर | ≤60°C(@ITEC=Imax,Tamb=+50°C,PED=20%) |
| परिचालन तापमान | -40-45 डिग्री सेल्सियस |
| भंडारण तापमान | -50-70 डिग्री सेल्सियस |
| कूलर बिजली की खपत | ≤ 9.52W |
| इलेक्ट्रोस्टैटिक डिस्चार्ज संवेदनशीलता | 250V |
| रेफ्रिजरेटर का अधिकतम वोल्टेज मान | 11.9V |
| रेफ्रिजरेटर का अधिकतम वर्तमान मूल्य | 0.8 |
| एनटीसी (तापमान संवेदनशील प्रतिरोधी) | RT=10KΩ@25°C |
| सैंपलिंग रेसिस्टर टीआर रेजिस्टेंस रेंज | 50Ω ± 10Ω |
