इंगास हिमस्खलन फोटोडायोड भारत

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  InGaAs एवलांच फोटोडियोड में नवाचार

  
  

  "हिमस्खलन प्रभाव" वह नवाचार है जो प्राथमिक रूप से InGaAs APDs को Anhui Giant Optoelectronics के समान बनाता है एकल फोटॉन हिमस्खलन फोटोडायोड इतना प्रभावी। अनिवार्य रूप से, यह एक स्ट्रिंग प्रतिक्रिया को उत्तेजित करता है, सेंसर द्वारा उत्पन्न फोटोकरंट को गुणा करता है। अर्धचालक परत के भीतर यह कैस्केडिंग प्रभाव घटना फोटॉन से कई चार्ज बनाकर संकेत को बढ़ाता है जो एकल है। यह प्रक्रिया एक हिमस्खलन पैदा करती है जो विद्युत का पता लगाने वाले सिग्नल की ताकत को बढ़ाती है।

  
  

  
  

  
  

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  InGaAs एवलांच फोटोडियोड की सुरक्षा

  
  

  एपीडी, पीएमटी की तुलना में अधिक सुरक्षित और विश्वसनीय हैं। पराबैंगनी प्रकाश जैसे उच्च शक्ति विकिरण के साथ काम करते समय यह एक आवश्यकता है। एन्हुई जायंट ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स जैसे एपीडी इंगास हिमस्खलन फोटोडायोडपराबैंगनी प्रकाश के प्रति असंवेदनशील होते हैं; इसलिए, वे फोटो-डिटेक्शन अनुप्रयोगों में फोटॉन पावर को कुशलतापूर्वक पहचान सकते हैं। विकिरण के खतरे को न्यूनतम रखा जाता है क्योंकि APD रिवर्स बायस अनुप्रयोगों में कम वोल्टेज पर चल सकते हैं। कम वोल्टेज अनुप्रयोगों से बिजली के झटके का जोखिम काफी कम हो जाता है।

  
  

  
  

  
  

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  InGaAs एवलांच फोटोडियोड का उपयोग कैसे करें

  
  

  एन्हुई जायंट ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स द्वारा निर्मित InGaAs APD को सीधे धूप में इस्तेमाल नहीं किया जाना चाहिए, क्योंकि सौर ताप इसे नुकसान पहुंचाता है। डिवाइस को एक ऐसे उपकरण से सुसज्जित किया जाना चाहिए जो तापमान-नियंत्रित वातावरण में ठंडा हो, जिससे इसके आंतरिक थर्मल सेंसर की अखंडता बनी रहे। इसके अतिरिक्त, फोटोसेंसिटिव सतह को छूने से बचें। यदि आवश्यक हो, तो InGaAs APD को संभालने के लिए दस्ताने का उपयोग किया जाना चाहिए।

  
  

  
  

  
  

एन्हुई जायंट ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स इंगास हिमस्खलन फोटोडियोड क्यों चुनें?

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  हम समर्पित व्यवसाय हैं जो हिमस्खलन फोटोडियोड ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स को समर्पित करते हैं। हमारी विशेषज्ञता काम के हर पहलू के माध्यम से चमकती है, अत्याधुनिक अनुसंधान विकास से लेकर सटीक विनिर्माण तक।

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