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Dispositivi Optoelettronici Integrati

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Fotodiodo a valanga InGaAs

Fotodiodo a valanga InGaAs Italia

Vantaggio chiave:

Alta reattività

Bassa capacità, basso rumore

Alta frequenza operativa

Alta affidabilità

Applicazioni tipiche:

Comunicazione in fibra ottica ad alta velocità

Rilevamento in fibra ottica

Rilevamento rapido degli impulsi ottici

Raggio laser

Rilevazione di singolo fotone

  • Panoramica
  • Parametro
  • Inchiesta
  • Spesso acquistati insieme

Il fotodiodo a valanga (APD) in modalità Geiger InGaAs è un prodotto progettato specificamente per applicazioni di conteggio di singoli fotoni. Questo dispositivo funziona in "modalità Geiger" applicando una tensione superiore alla tensione di rottura, facendo sì che i fotoni incidenti generino una grande corrente a causa del sostanziale guadagno all'interno del diodo a valanga, consentendo effettivamente il rilevamento di singoli fotoni. Se combinato con circuiti di rilevamento degli impulsi esterni corrispondenti, consente il rilevamento di singoli fotoni nell'intervallo di lunghezze d'onda di 0.95-1.65 micrometri.

Il prodotto è disponibile in due strutture di confezionamento: pigtail coassiale T0 e farfalla criogenica integrata, e può anche essere personalizzato per esigenze applicative specifiche del cliente.

La polarizzazione periodica si ottiene attraverso tecniche di adattamento quasi-fase, in cui un campo elettrico esterno viene applicato al cristallo di niobato di litio per invertire periodicamente la direzione di polarizzazione spontanea dei domini ferroelettrici del cristallo. Ciò risolve il problema del disadattamento di fase, consentendo la conversione di frequenza per diverse lunghezze d'onda.

Basate su guide d'onda RPE in niobato di litio (PPLN) con polarità periodica, nell'intervallo di lunghezze d'onda di comunicazione di 1550 nm, le perdite di trasmissione possono essere ridotte fino a 0.1 dB/cm e le perdite di accoppiamento con le fibre ottiche possono essere ridotte al minimo a 0.5 dB. Queste specifiche tecniche hanno raggiunto un livello leader a livello internazionale.

Parametri&Indice
Parametri tecnici Indice tecnico
Tensione di rottura inversa ≤90V(@Tamb=25°C±3°C,IR=10uA, Φe=0)
Corrente oscura ≤2nA(@Tamb=25°C±3°C,VDC=(VBR-1)V, Φe=0)
Efficienza di rilevamento 20%(@Tth=-30°C±3°C,fgate=1.25GHz,λ=1550nm±50nm)
Tasso di conteggio oscuro ≤5kHz(@Tth=-30°C±3°C,fgate=1.25GHz,PDE=20%)
Probabilità del postimpulso ≤6%(@Tth=-30°C±5°C,λ=1550nm±50nm,fgate=1.25GHz,PDE=20%,tdead=1000ns)
Differenza di temperatura di raffreddamento TEC ≤60°C(@ITEC=Imax,Tamb=+50°C,PED=20%)
Temperatura di esercizio -40-45 ° C
Temperatura di conservazione -50-70 ° C
Consumo energetico del sistema di raffreddamento ≤9.52W
Sensibilità alle scariche elettrostatiche 250V
Valore massimo della tensione del frigorifero 11.9V
Valore corrente massimo del frigorifero 0.8A
NTC (resistore sensibile alla temperatura) TA=10KΩ@25°C
Intervallo di resistenza TR del resistore di campionamento 50Ω ± 10Ω

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