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Il sensore a matrice lineare InGaAs ad infrarossi a breveonda GD-NIR512L2-CD presenta le caratteristiche di alta sensibilità, basso rumore e bassa corrente oscura. Il sensore è composto da chip di fotodiodi a matrice InGaAs e da chip di circuito di elaborazione dei segnali CMOS. È connesso in modo conduttivo tramite matrici a punti convessi di indio (In) e può essere utilizzato ampiamente nei campi di rilevamento di prodotti agricoli, rilevamento industriale e rilevamento ottico-elettronico.
Il sensore è composto da due circuiti strutturati 1X512 indipendenti, ciascuno contenente 512 canali gommati. Ogni canale contiene un circuito di amplificazione a carica, un circuito di guadagno CDS, un circuito di hold, un circuito buffer di colonna e una logica del circuito di controllo. La fase di ingresso adotta una struttura CTIA con più livelli di conversione della tensione a carica, supporta funzioni di riduzione del rumore anti-corona e correlato al doppio adozione (CDS), e supporta due forme di raffreddamento e senza raffreddamento.
Parametri&Indice | |
Tecnico Parametri | Tecnico Indice |
Tipo di dispositivo | Tipo InGaAs p-su-n |
Scala dell'Array | 2X512 |
Dimensione del pixel | 25umX25um |
Dimensione della Superficie Fotocettiva | 0.05mmX12.8mm |
Forma di imballaggio | imballaggio in Resina Ceramica 32-DIP |
Caratteristiche Ottico-Elettroniche @ 22±3°C | |
Frequenza massima della linea | 20 kHz |
Velocità Massima di Lettura dei Pixel | 14KHz |
Tempo Integrale | ≥10us Maggiore o uguale a 10us |
Intervallo di risposta spettrale | 0.92~1.65um |
Rumore di Lettura | ≤60e(RMS)@10KHz,Alto Guadagno |
Atmosfera Dinamica | ≥60dB |
Caratteristiche Elettriche | |
Intervallo di temperatura di funzionamento | -20° C~+60° C |
Consumo Massimo di Potenza Operativa | 300mW |
Intervallo di Bias del Pixel | -0,5V~0V |
Livello Antistatico ESD | 800V~1000V |