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Il sensore a matrice lineare InGaAs ad infrarossi a breveonda GD-NIR512L2-CD presenta le caratteristiche di alta sensibilità, basso rumore e bassa corrente oscura. Il sensore è composto da chip di fotodiodi a matrice InGaAs e da chip di circuito di elaborazione dei segnali CMOS. È connesso in modo conduttivo tramite matrici a punti convessi di indio (In) e può essere utilizzato ampiamente nei campi di rilevamento di prodotti agricoli, rilevamento industriale e rilevamento ottico-elettronico.
Il sensore è composto da due circuiti strutturati 1X512 indipendenti, ciascuno contenente 512 canali gommati. Ogni canale contiene un circuito di amplificazione a carica, un circuito di guadagno CDS, un circuito di hold, un circuito buffer di colonna e una logica del circuito di controllo. La fase di ingresso adotta una struttura CTIA con più livelli di conversione della tensione a carica, supporta funzioni di riduzione del rumore anti-corona e correlato al doppio adozione (CDS), e supporta due forme di raffreddamento e senza raffreddamento.

Parametri&Indice
Tecnico Parametri Tecnico Indice
Tipo di dispositivo Tipo InGaAs p-su-n
Scala dell'Array 2X512
Dimensione del pixel 25umX25um
Dimensione della Superficie Fotocettiva 0.05mmX12.8mm
Forma di imballaggio imballaggio in Resina Ceramica 32-DIP
Caratteristiche Ottico-Elettroniche @ 22±3°C
Frequenza massima della linea 20 kHz
Velocità Massima di Lettura dei Pixel 14KHz
Tempo Integrale ≥10us Maggiore o uguale a 10us
Intervallo di risposta spettrale 0.92~1.65um
Rumore di Lettura ≤60e(RMS)@10KHz,Alto Guadagno
Atmosfera Dinamica ≥60dB
Caratteristiche Elettriche
Intervallo di temperatura di funzionamento -20° C~+60° C
Consumo Massimo di Potenza Operativa 300mW
Intervallo di Bias del Pixel -0,5V~0V
Livello Antistatico ESD 800V~1000V

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