Na era da tecnologia atual, encontrar um sensor confiável e de precisão exata para instrumentos é crucial. Felizmente, o fotodiodo avalancha InGaAs (APD) como da Anhui Giant Optoelectronics fotodíodo de avalanche de silício oferece uma solução para aplicações que atendem a muitas necessidades. Este artigo irá guiá-lo pelos benefícios do APD InGaAs, como ele funciona, como utilizá-lo, suas aplicações e garantia de qualidade.
Os APDs de InGaAs da Anhui Giant Optoelectronics são muito melhores que os tubos fotomultiplicadores (PMTs), pois performam de forma mais eficiente na faixa do infravermelho. Além disso, seu ganho interno proporciona alta sensibilidade, permitindo a detecção de baixos níveis de luz. Além disso, esses APDs são rápidos, respondendo a fótons em microssegundos. Essa característica significa que eles são perfeitos para aquisição de alvos e outras aplicações dinâmicas.
O "efeito avalanche" é a inovação que torna os APDs de InGaAs da Anhui Giant Optoelectronics tão eficazes fotodíodo de avalanche de fóton único essencialmente, ele desencadeia uma reação em cadeia, multiplicando a corrente fotovoltaica gerada pelo sensor. Esse efeito em cascata dentro da camada semicondutora amplifica o sinal criando múltiplas cargas a partir de um único fóton incidente. Esse processo gera uma avalanche que aumenta eletricamente a força do sinal detectado.
Os DAFs são muito mais seguros e confiáveis do que os FPMs. Isso é essencial ao trabalhar com radiação de alta potência, como por exemplo, a luz ultravioleta. DAFs, como os da Anhui Giant Optoelectronics fotodiodo avalancha InGaAs não são sensíveis à luz ultravioleta; portanto, podem identificar eficientemente o poder do fóton em aplicações de fotodetecção. Os riscos de radiação são mantidos ao mínimo, já que os DAFs podem operar em baixas voltagens em aplicações de viés reverso. Aplicações de baixa voltagem reduzem significativamente o risco de choque elétrico.
Um DAF InGaAs da Anhui Giant Optoelectronics não deve ser usado em luz solar direta, pois o calor solar pode danificá-lo. O dispositivo precisa ser equipado com um sistema de resfriamento em um ambiente controlado por temperatura, preservando a integridade do seu sensor térmico interno. Além disso, evite tocar na superfície fotosensível. Se necessário, luvas devem ser usadas para manipular os DAFs InGaAs.
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