Fotodiodă de avalanșă InGaAs România
Avantaj cheie:
Reactivitate ridicată
Capacitate scăzută, zgomot redus
Frecvență ridicată de operare
Fiabilitate ridicată
Aplicații tipice:
Comunicație de mare viteză prin fibră optică
Detecție prin fibră optică
Detectare rapidă a pulsului optic
Distanta cu laser
Detectarea unui singur foton
- Descriere
- Parametru
- Anchetă
- Produse asemănătoare
Fotodioda de avalanșă în modul Geiger (APD) InGaAs este un produs conceput special pentru aplicațiile de numărare a unui singur foton. Acest dispozitiv funcționează în „modul Geiger” prin aplicarea unei tensiuni mai mari decât tensiunea de rupere, determinând fotonii incidenti să genereze un curent mare datorită câștigului substanțial din dioda de avalanșă, permițând efectiv detectarea fotonilor unici. Atunci când este combinat cu circuite de detectare a impulsurilor externe potrivite, permite detectarea unui singur foton în intervalul de lungimi de undă de 0.95-1.65 micrometri.
Produsul este disponibil în două structuri de ambalare: coadă coaxială T0 și fluture criogenic integrat și poate fi, de asemenea, personalizat pentru cerințele specifice ale clientului.
Polarizarea periodică este realizată prin tehnici de potrivire cvasi-fază, în care un câmp electric extern este aplicat cristalului de niobat de litiu pentru a inversa periodic direcția de polarizare spontană a domeniilor feroelectrice ale cristalului. Acest lucru rezolvă problema nepotrivirii fazelor, permițând conversia frecvenței pentru diferite lungimi de undă.
Pe baza ghidurilor de undă RPE cu niobat de litiu cu poli periodic, în intervalul de lungimi de undă de comunicație de 1550 nm, pierderile de transmisie pot fi reduse până la 0.1 dB/cm, iar pierderile de cuplare cu fibre optice pot fi reduse la 0.5 dB. Aceste specificații tehnice au atins un nivel de lider internațional.
Parametri&Index | |
Parametri tehnici | Index tehnic |
Tensiune inversă de defalcare | ≤90V(@Tamb=25°C±3°C,IR=10uA, Φe=0) |
Curent întunecat | ≤2nA(@Tamb=25°C±3°C,VDC=(VBR-1)V, Φe=0) |
Eficiența detectării | 20%(@Tth=-30°C±3°C,fgate=1.25GHz,λ=1550nm±50nm) |
Rata de numărare întunecată | ≤5kHz(@Tth=-30°C±3°C,fgate=1.25GHz,PDE=20%) |
Probabilitatea după puls | ≤6%(@Tth=-30°C±5°C,λ=1550nm±50nm,fgate=1.25GHz,PDE=20%,tdead=1000ns) |
Diferența de temperatură de răcire TEC | ≤60°C(@ITEC=Imax, Tamb=+50°C, PED=20%) |
Temperatura de Operare | -40-45 ° C |
Temperatura de depozitare | -50-70 ° C |
Consum de energie mai rece | ≤9.52W |
Sensibilitatea la descărcarea electrostatică | 250V |
Valoarea tensiunii maxime a frigiderului | 11.9V |
Valoarea curentă maximă a frigiderului | 0.8A |
NTC (rezistor sensibil la temperatură) | RT=10KΩ la 25°C |
Rezistorul de eșantionare TR Interval de rezistență | 50Ω ± 10Ω |