Все Категории

Оптоэлектронные интегрированные устройства

Главная >  Продукция  >  Оптоэлектронные интегрированные устройства

Лавинный фотодиод InGaAs

Лавинный фотодиод InGaAs

Ключевое преимущество:

Высокая скорость отклика

Низкая емкость, низкий уровень шума

Высокая рабочая частота

Высокая надежность

Типичные области применения:

Высокоскоростная оптоволоконная связь

Волоконно-оптическое зондирование

Быстрое обнаружение оптических импульсов

Лазерная локация

Однофотонное обнаружение

  • Обзор
  • Параметр
  • Написать
  • ПОДОБНЫЕ ТОВАРЫ

Лавинный фотодиод InGaAs с гейгеровым режимом (APD) — это продукт, специально разработанный для приложений подсчета одиночных фотонов. Это устройство работает в «режиме Гейгера», применяя напряжение, превышающее напряжение пробоя, заставляя падающие фотоны генерировать большой ток из-за значительного усиления внутри лавинного диода, что эффективно позволяет обнаруживать одиночные фотоны. В сочетании с согласующими внешними схемами обнаружения импульсов он обеспечивает обнаружение одиночных фотонов в диапазоне длин волн 0.95–1.65 микрометров.

Продукт доступен в двух вариантах упаковки: коаксиальный пигтейл T0 и встроенная криогенная бабочка, а также может быть адаптирован под конкретные требования заказчика.

Периодическая поляризация достигается с помощью методов квазисинхронизма, при которых к кристаллу ниобата лития прикладывается внешнее электрическое поле, чтобы периодически менять направление спонтанной поляризации сегнетоэлектрических доменов кристалла. Это решает проблему несоответствия фаз, обеспечивая преобразование частоты для разных длин волн.

На основе волноводов RPE из ниобата лития с периодической поляризацией (PPLN) в диапазоне длин волн связи 1550 нм потери передачи могут быть снижены до 0.1 дБ/см, а потери связи с оптическими волокнами могут быть минимизированы до 0.5 дБ. Эти технические характеристики достигли международного уровня.

Параметры и индекс
Технические параметры Технический указатель
Обратное напряжение пробоя ≤90V(@Tamb=25°C±3°C,IR=10uA, Φe=0)
Темное течение ≤2nA(@Tamb=25°C±3°C,VDC=(VBR-1)V, Φe=0)
Эффективность обнаружения 20%(@Tth=-30°C±3°C,fgate=1.25GHz,λ=1550nm±50nm)
Темная скорость счета ≤5kHz(@Tth=-30°C±3°C,fgate=1.25GHz,PDE=20%)
Вероятность послеимпульса ≤6%(@Tth=-30°C±5°C,λ=1550nm±50nm,fgate=1.25GHz,PDE=20%,tdead=1000ns)
Разница температур охлаждения TEC ≤60°C(@ITEC=Imax,Tamb=+50°C,PED=20%)
Рабочая Температура -40-45 ° С
Температура хранения -50-70 ° С
Потребляемая мощность охладителя ≤9.52W
Чувствительность к электростатическому разряду 250V
Максимальное значение напряжения холодильника 11.9V
Максимальное значение тока холодильника 0.8A
NTC (термочувствительный резистор) RT=10 кОм при 25°C
Диапазон сопротивления выборочного резистора TR 50Ω ± 10Ω

ВОПРОСЫ?