Nell'era tecnologica odierna, trovare un sensore affidabile e strumenti di precisione accurati è fondamentale. Fortunatamente, l'avvalanche fotodiodo InGaAs (APD) come quelli di Anhui Giant Optoelectronics fotodiodo ad avalancha in silicio offre una soluzione per applicazioni che possono soddisfare molteplici esigenze. Questo articolo vi guiderà attraverso i vantaggi dell'APD InGaAs, come funziona, come utilizzarlo, le sue applicazioni e la garanzia della qualità.
I APD InGaAs di Anhui Giant Optoelectronics sono molto migliori dei tubi a fotomoltiplicatore (PMT) poiché prestano in modo più efficiente nel campo dell'infrarosso. Inoltre, il loro guadagno interno consente un'alta sensibilità, permettendo la rilevazione di bassi livelli di luce. Inoltre, questi APD sono veloci, rispondendo ai fotoni entro microsecondi. Questa caratteristica li rende perfetti per l'acquisizione di bersagli e altre applicazioni ad alto ritmo.
L'"effetto valanga" è l'innovazione che principalmente rende gli APD InGaAs simili a quelli di Anhui Giant Optoelectronics fotodiodo ad avalancha singola fotone così efficaci. Essenzialmente, esso genera una reazione a catena, moltiplicando la corrente fotoelettrica generata dal sensore. Questo effetto a cascata all'interno del layer semiconduttore amplifica il segnale creando molteplici cariche da un singolo fotone. Questo processo produce una valanga che aumenta elettricamente l'intensità del segnale rilevato.
I DAP sono molto più sicuri e affidabili dei FMT. Questo è un requisito quando si lavora con radiazioni ad alta potenza, come ad esempio la luce ultravioletta. DAP come quelli di Anhui Giant Optoelectronics fotodiodo ad avalanga InGaAs sono insensibili alla luce ultravioletta; pertanto, possono identificare in modo efficiente il potere del fotone nelle applicazioni di rilevamento ottico. I rischi legati alla radiazione vengono minimizzati poiché i DAP possono funzionare a basse tensioni in applicazioni con polarizzazione inversa. Le applicazioni a bassa tensione riducono significativamente il rischio di scossa elettrica.
Un DAP InGaAs di Anhui Giant Optoelectronics non dovrebbe essere utilizzato direttamente al sole, poiché il calore solare lo danneggia. L'unità deve essere dotata di un dispositivo di raffreddamento mantenuto in un ambiente controllato termicamente, preservando l'integrità del sensore termico interno. Inoltre, evitare di toccare la superficie fotosensibile. Se necessario, si dovrebbero usare guanti per maneggiare i DAP InGaAs.
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