Nell'era tecnologica di oggi, trovare un sensore affidabile e uno strumento di precisione accurato è fondamentale. Fortunatamente, il fotodiodo da valanga (APD) InGaAs di Anhui Giant Optoelectronics fotodiodo a valanga al silicio offre una soluzione ad applicazioni che possono avere molteplici esigenze. Questo articolo ti illustrerà semplicemente i vantaggi di InGaAs APD, come funziona, come utilizzarlo, l'applicazione e la garanzia della qualità.
Gli APD InGaAs di Anhui Giant Optoelectronics sono decisamente migliori dei tubi fotomoltiplicatori (PMT) poiché funzionano in modo più efficace nella gamma degli infrarossi. Inoltre, la loro procedura interna garantisce un'elevata sensibilità, consentendo il rilevamento di bassi livelli di luce. Inoltre, questi APD sono veloci e rispondono ai fotoni in pochi microsecondi. Questa caratteristica significa che sono perfetti per l'acquisto target e altre applicazioni frenetiche.
L '"effetto valanga" è l'innovazione che rende gli APD InGaAs gli stessi dell'Anhui Giant Optoelectronics fotodiodo a valanga a singolo fotone così efficace. In sostanza, stimola una reazione di stringa, moltiplicando la fotocorrente generata dal sensore. Questo effetto a cascata all'interno dello strato semiconduttore ne amplifica il segno creando più cariche dell'evento fotonico che singolo. Questo processo produce una valanga che aumenta elettricamente la potenza del segnale rilevato.
Gli APD sono molto più sicuri e affidabili dei PMT. Questa è una necessità quando si lavora con radiazioni ad alta potenza come ad esempio la luce ultravioletta. APD come Anhui Giant Optoelectronics fotodiodo da valanga ingaassono insensibili alla luce ultravioletta; pertanto, possono identificare in modo efficiente la potenza dei fotoni nelle applicazioni di fotorilevamento. I rischi di radiazioni sono ridotti al minimo poiché gli APD possono funzionare a basse tensioni in applicazioni con polarizzazione inversa. Le applicazioni a bassa tensione riducono significativamente il rischio di scosse elettriche.
Un APD InGaAs di Anhui Giant Optoelectronics non dovrebbe essere utilizzato sotto la luce diretta del sole, poiché il calore solare lo danneggia. Il dispositivo deve essere dotato di un dispositivo che mantenga il raffreddamento in un ambiente a temperatura controllata, mantenendo l'integrità del sensore termico interno. Inoltre, evitare di toccare la superficie fotosensibile. Se necessario, è necessario utilizzare guanti per maneggiare gli APD InGaAs.
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