В современную эпоху технологий найти надежный и точный датчик для измерительных приборов критически важно. К счастью, фотодиод лавинного накопления на основе индиево-галлиево-арсенида (InGaAs APD), такой как у Anhui Giant Optoelectronics кремниевый фотоэлемент лавинного типа предлагает решение для множества приложений. В этой статье мы познакомим вас с преимуществами InGaAs APD, принципом его работы, способами использования, областями применения и обеспечением качества.
Приборы с лавинными фотодиодами (APD) на основе InGaAs от компании Anhui Giant Optoelectronics значительно лучше фотоумножителей (PMT), так как они эффективнее работают в инфракрасном диапазоне. Кроме того, их внутренний процесс усиления обеспечивает высокую чувствительность, что позволяет обнаруживать низкие уровни света. Более того, эти APD очень быстры, реагируя на фотоны в течение микросекунд. Это свойство делает их идеальными для целей прицеливания и других быстротечных приложений.
Эффект "лавины" является основным фактором, делающим APD на основе InGaAs от Anhui Giant Optoelectronics столь эффективными фотоэлемент лавинного типа одиночного фотона этот эффект запускает цепную реакцию, умножая фототок, создаваемый датчиком. Каскадный эффект внутри полупроводникового слоя усиливает сигнал за счет создания множества зарядов из одного фотона. Этот процесс создает лавину, которая электрически увеличивает силу обнаруженного сигнала.
АПД значительно безопаснее и надежнее, чем ФЭУ. Это необходимо при работе с высокоэнергетическим излучением, например, ультрафиолетовым светом. АПД, такие как у компании Anhui Giant Optoelectronics фотодиод лавинного типа на основе InGaAs нечувствительны к ультрафиолетовому излучению; поэтому они могут эффективно определять мощность фотона в фотообнаруживающих приложениях. Радиационные риски сводятся к минимуму, так как АПД могут работать при низком напряжении в режиме обратной полярности. Низковольтные приложения значительно снижают риск электрического удара.
APD InGaAs от Anhui Giant Optoelectronics не следует использовать под прямыми солнечными лучами, так как солнечное тепло может его повредить. Устройство должно быть оборудовано охлаждающим устройством, находящимся в температурно-контролируемой среде, что сохраняет целостность внутреннего термического датчика. Кроме того, избегайте прикосновения к fotosensitive поверхности. Если это необходимо, для обработки APD InGaAs следует использовать перчатки.
Наша компания обладает впечатляющей способностью к исследованию и разработке, что позволяет нам создавать продукты, которые являются лучшими в отрасли с точки зрения производительности и функциональности.
Мы посвящаем себя бизнесу в области оптоэлектроники на основе ингаасовых лавинных фотодиодов. Наша экспертиза проявляется во всех аспектах работы, от передовых исследований и разработок до точного производства.
Мы специалисты по адаптации решений под нужды каждого клиента в области ингаасовых лавинных фотодиодов.
Мы предоставляем широкий спектр услуг, включая настройку функций и индивидуальную доработку ингаасовых лавинных фотодиодов, а также производство и тестирование образцов.
Миссия нашей компании — использовать мощь фотоники для стимулирования инноваций и создания более светлого, устойчивого будущего. Наша цель — быть лидерами в развитии передовых оптических технологий, способствуя прогрессу во всех отраслях промышленности и формируя мир, освещенный бесконечными возможностями.
13th Floor, D1#, Phase I, Gongtou Liheng Industrial Plaza, Fanhua Avenue, Feixi County Economic Development Zone, Hefei City, Anhui Province
RU
EN
AR
BG
HR
CS
DA
NL
FI
FR
DE
EL
HI
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
ES
SV
TL
ID
LV
LT
SR
SK
SL
UK
VI
TH
TR
FA
MS
BE
LA
UZ
