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InGaAs Brennebenen-Array-Sensor

Dieses Produkt wird durch Flip-Chip-Verbindung eines CMOS-Lesechips mit einem InGaAs-Photodetektormatrixchip zusammengebaut. Die Matrixgröße beträgt 320x265 Pixel, mit Antwortwellenlängen von 0,9-1,7 μm (Standardwellenlänge) und 0,4-1,7 μm (sichtbare Wellenlänge) als optionale Auswahlmöglichkeiten. Es bietet Leistungsmerkmale wie geringer Rauschpegel, hohe Empfindlichkeit, ausgezeichnete Gleichförmigkeit und einen breiten Dynamikbereich. Es zeigt eine gute Zuverlässigkeit sowohl bei gekühltem als auch bei ungekühltem Betrieb. Das Produkt ist in zwei Typen erhältlich: integriert mit einem TEC-Typ DIP-Metallgehäuse für eine dichte Versiegelung und einer leichten, kompakten CLCC-Verpackung.

Grundtechnische Parameter und Eigenschaften
Produktmodell GD-NIR32030M-MD GD-NIR32030M-CL
Gerätetyp InGaAs p-auf-n
Pixelmaßstab 320*256
Pixelgröße 30um*30um
Photosensible Flächengröße 9,6mm*7,68mm
Gerategewicht 3,0g 3,5 g
Optisches Fenster Sapphire Glasoptisches Fenster
Kapselform Integrierte TEC\/DIP-Metallgehäuseverpackung CLCC-Keramikröhrengehäuseverpackung
Abstand der Brennebene zur Oberfläche des optischen Fensters 2,6mm (Die Dicke des optischen Fensters beträgt ungefähr 1,0mm.) 1,9mm (Die Dicke des optischen Fensters beträgt ungefähr 0,8mm.)
Hauptphotoelektrischer Index
Parameter GD-NIR32030M-MD GD-NIR32030M-CL
Spektrale Antwortbereich 0.9-1.7um/0.4-1.7um 0.9-1.7um
Quanteneffizienz ≥75%(1.0~1.6um)
Optischer Füllfaktor ≥ 99,0%
Effektive Pixelrate ≥99,5%(0,5-2 Mal die durchschnittliche Antwort)
Ausgangssignalrauschen ≤1,5mV/1,0mV
Dynamikbereich ≥62dB
Antwortnonuniformität ≤6%(ohne NUC, 50% Vollwert)
Durchschnittlicher Pixel-Dunkelstrom ≤800ke/s(@-0,2V, Detektor-Bias)
Maximale Vollskalenausgabegeschwindigkeit 100fps/200fps/300fps
Maximale Fensterausgabegeschwindigkeit 15,6KHz
Maximale Pixel-Lesegeschwindigkeit 10MHz
Vollwert-Kapazität 170Ke/3.5Me
Minimale Integrationszeit 1 us

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