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InGaAs-Linear-Array-Fokalebenensensor

InGaAs-Linear-Array-Fokalebenensensor Deutschland

Entscheidender Vorteil
Langes lineares Array mit kleinen Pixeln und hoher Auflösung
512X2 Dual-Line-Spaltenausgang
Hohe Pixelausleserate (14 MHz).
Maximale Netzfrequenz 20 kHz
Vier Gangverstärkungsoptionen
Geeignet für Anwendungsanforderungen mit mehreren Szenarios
32-poliges Keramik-Dual-Inline-Gehäuse

Typische Anwendungen:
Fremdkörperkontrolle
Prüfung landwirtschaftlicher Produkte
Zeilenscan-Bildgebung
Industrielle zerstörungsfreie Prüfung
Spektralanalyse

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Der Kurzwellen-Infrarot-InGaAs-Linear-Array-Sensor GD-NIR512L2-CD zeichnet sich durch hohe Empfindlichkeit, geringes Rauschen und geringen Dunkelstrom aus. Der Sensor besteht aus InGaAs-Photodiodenarray-Chips und CMOS-Signalverarbeitungsschaltungschips. Es ist über konvexe Punktanordnungen aus Indium (In) leitend verbunden und kann in Bereichen wie der Erkennung landwirtschaftlicher Produkte, der industriellen Erkennung und der optoelektronischen Erkennung weit verbreitet eingesetzt werden.
Der Sensor besteht aus zwei unabhängigen 1X512-Strukturschaltkreisen, die jeweils 512 Gummikanäle enthalten. Jeder Kanal enthält eine Ladungsverstärkungsschaltung, eine CDS-Verstärkungsschaltung, eine Halteschaltung, eine Spaltenpufferschaltung und eine Steuerschaltungslogik. Die Eingangsstufe verfügt über eine CTIA-Struktur mit mehreren Stufen der Ladungsspannungsumwandlungsverstärkung, unterstützt Anti-Corona- und Correlated Dual Adoption (CDS)-Rauschunterdrückungsfunktionen und unterstützt zwei Formen der Kühlung und Nichtkühlung.

Parameter&Index
Technische Parameter Technische Index
Gerätetyp InGaAs p-on-n-Typ
Maßstab des Arrays 2X512
Pixel Größe 25 um x 25 um
Größe der lichtempfindlichen Oberfläche 0.05mmX12.8M
Verpackungsformular 32-DIP-Keramikschalen-Harzverpackung
Optoelektronische Eigenschaften bei 22 ± 3 °C
Maximale Netzfrequenz 20KHz
Maximale Pixel-Ausleserate 14KHz
Integrale Zeit ≥10us Größer oder gleich 10us
Spektraler Reaktionsbereich 0.92 ~ 1.65um
Ausleserauschen ≤60e(RMS)@10KHz, hohe Verstärkung
Dynamische Atmosphäre ≥60dB
Elektrische Eigenschaften
Betriebstemperaturbereich -20 ° C ~ + 60 ° C
Maximaler Arbeitsstromverbrauch 300mW
Pixel-Bias-Bereich -0.5 V ~ 0 V.
ESD-Antistatikstufe 800V ~ 1000V

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