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Der Kurzwellen-Infrarot-InGaAs-Linear-Array-Sensor GD-NIR512L2-CD zeichnet sich durch hohe Empfindlichkeit, geringes Rauschen und geringen Dunkelstrom aus. Der Sensor besteht aus InGaAs-Photodiodenarray-Chips und CMOS-Signalverarbeitungsschaltungschips. Es ist über konvexe Punktanordnungen aus Indium (In) leitend verbunden und kann in Bereichen wie der Erkennung landwirtschaftlicher Produkte, der industriellen Erkennung und der optoelektronischen Erkennung weit verbreitet eingesetzt werden.
Der Sensor besteht aus zwei unabhängigen 1X512-Strukturschaltkreisen, die jeweils 512 Gummikanäle enthalten. Jeder Kanal enthält eine Ladungsverstärkungsschaltung, eine CDS-Verstärkungsschaltung, eine Halteschaltung, eine Spaltenpufferschaltung und eine Steuerschaltungslogik. Die Eingangsstufe verfügt über eine CTIA-Struktur mit mehreren Stufen der Ladungsspannungsumwandlungsverstärkung, unterstützt Anti-Corona- und Correlated Dual Adoption (CDS)-Rauschunterdrückungsfunktionen und unterstützt zwei Formen der Kühlung und Nichtkühlung.
Parameter&Index | |
Technische Parameter | Technische Index |
Gerätetyp | InGaAs p-on-n-Typ |
Maßstab des Arrays | 2X512 |
Pixel Größe | 25 um x 25 um |
Größe der lichtempfindlichen Oberfläche | 0.05mmX12.8M |
Verpackungsformular | 32-DIP-Keramikschalen-Harzverpackung |
Optoelektronische Eigenschaften bei 22 ± 3 °C | |
Maximale Netzfrequenz | 20KHz |
Maximale Pixel-Ausleserate | 14KHz |
Integrale Zeit | ≥10us Größer oder gleich 10us |
Spektraler Reaktionsbereich | 0.92 ~ 1.65um |
Ausleserauschen | ≤60e(RMS)@10KHz, hohe Verstärkung |
Dynamische Atmosphäre | ≥60dB |
Elektrische Eigenschaften | |
Betriebstemperaturbereich | -20 ° C ~ + 60 ° C |
Maximaler Arbeitsstromverbrauch | 300mW |
Pixel-Bias-Bereich | -0.5 V ~ 0 V. |
ESD-Antistatikstufe | 800V ~ 1000V |