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Das Produkt besteht aus einem Detektormodul, das durch Flip-Chip-Verbindung eines 4x4-Arrays aus InGaAs-Einzelphotonen-Lawinendiodenchips (SPAD) und einem CMOS-Hauptchip für die passive Löschschaltung zusammengebaut wird, zusammen mit einem Spannungsinvertermodul, einem Kühlmodul, und ein Signalsteuermodul. Im Geiger-Modus-Betrieb arbeitet jedes Pixel der Detektorkomponente unabhängig und frei, erkennt schwache Lichtsignale im nahen Infrarot-Wellenlängenbereich von 0.95 bis 1.65 Mikrometern und liefert in Echtzeit elektrische TTL-Signale.
Parameter&Index | |
Technische Parameter | Technischer Index |
Gerätetyp | InGaAs-APD |
Array-Größe | 4x4 |
Pixel Größe | 100μm x 100μm |
Größe des lichtempfindlichen Bereichs | 85μm x 85μm |
Optisches Fenster | Optisches Quarzfenster |
Abstand von der lichtempfindlichen Oberfläche zum optischen Fenster | 4 mm (Fensterstärke: 1 mm) |
Betriebswellenlänge | 0.95μm bis 1.65μm |
Erkennungseffizienz | ≥10 % (bei 1.57 ± 0.05 μm) |
Dunkelzählrate | ≤ 10 kHz |
Zeitjitter | ≤ 500 ps |
Todeszeit | Einstellbar von 100 bis 1000 ns |
Effektive Pixelrate | 100% |
Umgebungstemperaturbereich | -40 ° C bis + 55 ° C |
Lagertemperatur | -40 ° C bis + 70 ° C |
Energieverbrauch | ≤ 15W |