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Fotodiodo de avalancha de InGaAs

Ventaja clave:

Alta capacidad de respuesta

Baja capacitancia, bajo nivel de ruido

Alta frecuencia de funcionamiento

Alta Confiabilidad

Aplicaciones típicas:

Comunicación de fibra óptica de alta velocidad.

Detección de fibra óptica

Detección rápida de pulso óptico

Alcance láser

Detección de fotón único

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El fotodiodo de avalancha (APD) en modo Geiger de InGaAs es un producto diseñado específicamente para aplicaciones de conteo de fotón único. Este dispositivo funciona en "modo Geiger" aplicando un voltaje superior al voltaje de ruptura, lo que hace que los fotones incidentes generen una gran corriente debido a la ganancia sustancial dentro del diodo de avalancha, lo que permite de manera efectiva la detección de fotones individuales. Cuando se combina con circuitos externos de detección de pulsos compatibles, permite la detección de fotón único en el rango de longitud de onda de 0.95 a 1.65 micrómetros.

El producto está disponible en dos estructuras de empaque: coleta coaxial T0 y mariposa criogénica integrada, y también se puede personalizar para los requisitos de aplicación específicos del cliente.

La polarización periódica se logra mediante técnicas de coincidencia de casi fases, donde se aplica un campo eléctrico externo al cristal de niobato de litio para invertir periódicamente la dirección de polarización espontánea de los dominios ferroeléctricos del cristal. Esto resuelve el problema de la falta de coincidencia de fases, permitiendo la conversión de frecuencia para diferentes longitudes de onda.

Basado en guías de ondas RPE de niobato de litio de polos periódicos (PPLN), en el rango de longitud de onda de comunicación de 1550 nm, las pérdidas de transmisión se pueden reducir a tan solo 0.1 dB/cm, y las pérdidas de acoplamiento con fibras ópticas se pueden minimizar a 0.5 dB. Estas especificaciones técnicas han alcanzado un nivel líder internacional.

Parámetros e índice
Parámetros técnicos	Índice técnico
Tensión de ruptura inversa	≤90V(@Tamb=25°C±3°C,IR=10uA, Φe=0)
Corriente oscura	≤2nA(@Tamb=25°C±3°C,VDC=(VBR-1)V, Φe=0)
Eficiencia de detección	20%(@Tth=-30°C±3°C,fgate=1.25GHz,λ=1550nm±50nm)
Tasa de recuento oscuro	≤5kHz(@Tth=-30°C±3°C,fgate=1.25GHz,PDE=20%)
Probabilidad de pospulso	≤6%(@Tth=-30°C±5°C,λ=1550nm±50nm,fgate=1.25GHz,PDE=20%,tdead=1000ns)
Diferencia de temperatura de enfriamiento TEC	≤60°C(@ITEC=Imax,Tamb=+50°C,PED=20%)
Temperatura de Funcionamiento	-40-45 ° C
Temperatura de almacenamiento	-50-70 ° C
Consumo de energía del refrigerador	≤9.52W
Sensibilidad a la descarga electrostática	250V
Valor máximo de voltaje del refrigerador	11.9V
Valor actual máximo del refrigerador	0.8A
NTC (resistencia sensible a la temperatura)	RT=10KΩ@25°C
Rango de resistencia TR de resistencia de muestreo	50Ω ± 10Ω