Sensor de plano focal de matriz lineal InGaAs

El sensor de matriz lineal InGaAs infrarrojo de onda corta GD-NIR512L2-CD tiene las características de alta sensibilidad, bajo ruido y baja corriente oscura. El sensor está compuesto por chips de matriz de fotodiodos InGaAs y chips de circuito de procesamiento de señales CMOS. Es conductor y está conectado a través de matrices de puntos convexos de indio (In) y puede usarse ampliamente en campos como la detección de productos agrícolas, la detección industrial y la detección optoelectrónica.
El sensor está compuesto por dos circuitos estructurados 1X512 independientes, cada uno de los cuales contiene 512 canales de goma. Cada canal contiene un circuito de amplificación de carga, un circuito de ganancia CDS, un circuito de retención, un circuito de amortiguación de columna y una lógica de circuito de control. La etapa de entrada adopta una estructura CTIA con múltiples niveles de ganancia de conversión de voltaje de carga, admite funciones de reducción de ruido anti corona y de adopción dual correlacionada (CDS), y admite dos formas de enfriamiento y no enfriamiento.