![Sensor de plano focal de matriz lineal InGaAs](https://shopcdnpro.grainajz.com/241/upload/product/8a87351f9c7164fc3609fcb107f90c0591e1b5c1e96a4be0a19567de633c4911.jpg)
Sensor de plano focal de matriz lineal InGaAs
Ventaja clave
Píxel pequeño de matriz lineal larga con alta resolución
Salida de columna de doble línea 512X2
Alta tasa de lectura de píxeles (14MHz
Frecuencia máxima de línea 20 KHz
Cuatro opciones de ganancia de marcha
Adecuado para necesidades de aplicaciones en múltiples escenarios
Paquete doble en línea cerámico de 32 pines
Aplicaciones típicas:
Detección de objetos extraños
Pruebas de productos agrícolas
Imágenes de escaneo lineal
Ensayos industriales no destructivos
Análisis espectral
- Descripción general
- Parámetro
- Consulta
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El sensor de matriz lineal InGaAs infrarrojo de onda corta GD-NIR512L2-CD tiene las características de alta sensibilidad, bajo ruido y baja corriente oscura. El sensor está compuesto por chips de matriz de fotodiodos InGaAs y chips de circuito de procesamiento de señales CMOS. Es conductor y está conectado a través de matrices de puntos convexos de indio (In) y puede usarse ampliamente en campos como la detección de productos agrícolas, la detección industrial y la detección optoelectrónica.
El sensor está compuesto por dos circuitos estructurados 1X512 independientes, cada uno de los cuales contiene 512 canales de goma. Cada canal contiene un circuito de amplificación de carga, un circuito de ganancia CDS, un circuito de retención, un circuito de amortiguación de columna y una lógica de circuito de control. La etapa de entrada adopta una estructura CTIA con múltiples niveles de ganancia de conversión de voltaje de carga, admite funciones de reducción de ruido anti corona y de adopción dual correlacionada (CDS), y admite dos formas de enfriamiento y no enfriamiento.
Parámetros e índice | |
Técnico parámetros | Técnico Home |
Tipo de dispositivo | Tipo InGaAs p-on-n |
Escala de matriz | 2X512 |
Pixel Tamaño | 25umX25um |
Tamaño de la superficie fotosensible | 0.05mmX12.8mm |
Forma de embalaje | Embalaje de resina con carcasa de cerámica 32-DIP |
Características optoelectrónicas @ 22±3°C | |
Frecuencia máxima de línea | 20KHz |
Tasa máxima de lectura de píxeles | 14KHz |
Tiempo integral | ≥10us Mayor o igual a 10us |
Rango de respuesta espectral | 0.92 ~ 1.65um |
Ruido de lectura | ≤60e(RMS)@10KHz,alta ganancia |
Atmósfera dinámica | ≥60dB |
Características eléctricas | |
Rango de temperatura de funcionamiento | -20 ° C ~ + 60 ° C |
Consumo máximo de energía de trabajo | 300mW |
Rango de polarización de píxeles | -0.5V ~ 0V |
Nivel antiestático ESD | 800V ~ 1000V |