Im heutigen Technologiezeitalter ist es von entscheidender Bedeutung, ein zuverlässiges und präzises Präzisionsinstrument zu finden. Glücklicherweise gibt es die InGaAs-Lawinenfotodiode (APD) von Anhui Giant Optoelectronics Lawinenfotodiode aus Silizium Bietet eine Lösung für Anwendungen, die viele Anforderungen erfüllen können. Dieser Artikel soll Sie lediglich durch die Vorteile von InGaAs APD, seine Funktionsweise, seine Nutzung, Anwendung und Qualitätssicherung führen.
InGaAs-APDs von Anhui Giant Optoelectronics sind um einiges besser als Photomultiplier-Röhren (PMTs), da sie im Infrarotbereich leistungsfähiger sind. Darüber hinaus verfügen sie über ein Innenverfahren mit hoher Empfindlichkeit, das die Erkennung geringer Lichtverhältnisse ermöglicht. Darüber hinaus sind diese APDs schnell und reagieren innerhalb von Mikrosekunden auf Photonen. Diese Eigenschaft bedeutet, dass sie sich perfekt für Zielkäufe und andere Anwendungen mit schnellem Tempo eignen.
Der „Lawineneffekt“ ist die Innovation, die InGaAs-APDs mit Anhui Giant Optoelectronics in erster Linie gleich macht Einzelphotonen-Lawinenfotodiode so effektiv. Im Wesentlichen stimuliert es eine String-Reaktion und vervielfacht den vom Sensor erzeugten Photostrom. Dieser Kaskadeneffekt innerhalb der Halbleiterschicht verstärkt das Signal, indem er aus dem einzelnen Ereignisphoton mehrere Ladungen erzeugt. Dieser Prozess erzeugt eine Lawine, die die erkannte Signalstärke elektrisch erhöht.
APDs sind viel sicherer und zuverlässiger als PMTs. Dies ist notwendig, wenn mit Strahlung hoher Leistung wie beispielsweise ultraviolettem Licht gearbeitet wird. APDs wie Anhui Giant Optoelectronics Ingaas Lawinenfotodiodesind unempfindlich gegenüber ultraviolettem Licht; Daher können sie die Photonenleistung in Fotodetektionsanwendungen effizient identifizieren. Die Strahlungsgefahr wird auf ein Minimum reduziert, da APDs in Sperrvorspannungsanwendungen mit niedrigen Spannungen betrieben werden können. Niederspannungsanwendungen verringern das Risiko eines Stromschlags erheblich.
Ein InGaAs APD von Anhui Giant Optoelectronics sollte nicht bei direkter Sonneneinstrahlung verwendet werden, da es durch Sonnenwärme beschädigt wird. Das Gerät muss mit einer Vorrichtung ausgestattet sein, die in einer temperaturkontrollierten Umgebung kühlt und so die Integrität des internen Temperatursensors gewährleistet. Vermeiden Sie außerdem, die lichtempfindliche Oberfläche zu berühren. Bei Bedarf sollten beim Umgang mit InGaAs-APDs Handschuhe getragen werden.
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